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利用驅動芯片的快速響應優(yōu)勢來實現(xiàn)高畫質(zhì)的LED顯示屏。現(xiàn)今LED顯示屏運用越來越廣，凡舉金融證券、體育、交通訊息、廣告?zhèn)鬟f等都可以看到它的足跡，也因為最近幾年LED成本下降及亮度的提升再加上LED顯示屏更具有耗電少、壽命長、視角大及響應速度快等優(yōu)勢。而且可以根據(jù)不同地點及需求訂制相對應的尺寸，在市場上快速崛起成新一代的傳播媒體寵兒，其條件更是其他大型顯示設備無法比擬的。本文將進一步一一說明如何不變更電路設計，利用驅動芯片的快速響應優(yōu)勢來實現(xiàn)高畫質(zhì)的LED顯示屏。
解決方案：
將同一個時間內(nèi)輸出電流的脈沖平均打散
PCB最好是4層板以上，走線部份越短越好
LED與VCC分開為不同電源www.iled.net.cn
LED及VCC對地端加上一個大的穩(wěn)壓電容
整體速度的提升-更高的刷新頻率與換幀頻率
LED是經(jīng)由流過的電流來驅動的，而通過的脈沖寬度可以控制LED的亮度及灰度，簡單來說若不考慮系統(tǒng)端的設計，刷新頻率(refreshrate)是經(jīng)由尋址時間(Tacc)及流過LED的電流速度所決定的；而換幀頻率(framerate)的提高除了系統(tǒng)的的支持外更需要更快的尋址時間，而尋址時間與傳輸?shù)念l率(DCLK)與尋址數(shù)有強烈的正相關。
表1為傳統(tǒng)驅動芯片及SnapDrive驅動芯片綜合表現(xiàn)
例如：有一全彩戶外顯示屏其尋址數(shù)為768，若是使用不同的頻率則整體的尋址時間也會不同工作頻率為10Mhz->768X0.1us=76.8us工作頻率為30Mhz->768X0.033us=25.6us兩者的尋址時間相差3倍。
而電流流過LED的速度決定LED顯示屏的刷新頻率，舉例說明若一LED顯示屏其尋址數(shù)皆為768、工作頻率為30Mhz、灰階調(diào)整為8位(bits)、亮度調(diào)整皆為2位(bits)、每子場的間隔時間為4us；傳統(tǒng)驅動芯片其顯示的脈沖寬度為250ns，而SnapDriveTM驅動芯片的脈沖寬度為50ns，兩者可以達到的刷新頻率有明顯的差異www.3dled.net.cn
圖1：OE脈沖寬度與輸出電流之曲線
顯示灰階度提升目前市場上一般通用的傳統(tǒng)驅動芯片其OE響應時間約為250ns，若以上述的例子來看其最高的灰階為8位；亦即R,G,B各有256個灰階度。其色彩為256X256X256=166777216約1千六百萬色。若想將灰階度提高至14位亦即16384X16384X16384=4.39千億色；兩者之間的刷新頻率亦會得到明顯的差異
以下為臺灣迅杰科技推出包含SnapDriveTM技術之驅動芯片測試條件及結果，借圖1及圖3可以明顯看出其驅動芯片在極小的OE脈沖寬度下其輸出電流仍為線性輸出，而傳統(tǒng)驅動芯片則無法提供線性的輸出。
圖3：SnapDrive之驅動芯片（線性輸出）
表2 失真率比較表
圖4：輸出電流失真率
圖5：輸出電流示意圖
圖6：驅動芯片串行電路
測試條件：Vcc=5V,Iout=38.3mA,RL=47Ω,CL=13pF
失真率的降低 針對不同的輸出電流斜率的驅動芯片，利用仿真軟件(HSPICE2007)我們在失真率方面我們得到不同的結果
仿真條件：傳統(tǒng)驅動芯片：Ton:160ns,Tof:70ns SnapDriveTM驅動芯片：Ton:15ns,Tof:15ns Vin:5V,Iout=20mA,LED等效電路RL:52Ω,CL:10pf OE脈沖寬度為：250ns
解決LED熱的問題及增加LED的壽命如圖5所示為50%Dutycycle的電流輸出示意圖，若在同一個時間內(nèi)將出電流的脈沖平均打散，不但不影響輸出電流及LED的亮度也可以避免LED長時間的點亮造成LED過熱及壽命提早衰減的現(xiàn)象。
快速響應電路設計使用快速響應的驅動芯片雖然可以提高LED顯示屏之灰階度及刷新頻率；不過根據(jù)電感效應的公式ΔV=L?di/dt因時間t變小；相對而言瞬間的電壓變大所以容易產(chǎn)生突波。筆者在此列上幾個電路設計上的改善方式供讀者參考： www.iledtech.com ΔV：電壓的變化量L：電路上寄生之電感di：對電流的微分dt：對時間的微分
在電路設計上有幾點需要特別注意：
1.PCB最好是4層板以上，將電源及地獨立一層；走線部份越短越好。
2.VLED及VCC對地端加上一個大的穩(wěn)壓電容，建議CP1及CP2為1000~1500uF。
3.VLED與VCC分開為不同電源。
4.可在頻率輸入端(Clock)加上RC電路，將其峰值降低，降低對電磁干擾的影響；建議Rt<22Ω、Ct<33pF。
圖7：MOS端的電路
掃描屏上；建議在MOS的Gate端與74HC138之間串一個電阻，以避免VLED端的電感效應及MOS端寄生電容所產(chǎn)生的突波，造成74HC138燒毀；建議Rg<100Ω、Cg<47pF(電容部份可選擇不加)。
結論：借由快速響應(SnapDriveTM)的驅動芯片不但可以提升整屏的灰階顯示及刷新頻率、降低電流輸出失真率，也由于傳統(tǒng)驅動芯片由于電流的爬升及下降時間較長，在未達到設定電流時其非線性輸出會影響LED的發(fā)光特性(波長)，容易造成顯示屏色彩失真的現(xiàn)象。但由于傳輸及工作頻率的提高對設計者而言除了在電路設計上要更加小心外，挑選高質(zhì)量、高信賴度的驅動芯片更是不二法門。
相關說明：
OE：芯片輸出端致能腳 (Chip Output Enable)。
SnapDriveTM ：為臺灣迅杰科技所研發(fā)生產(chǎn)之快速響應之驅動芯片，引腳完全兼容TB62746等產(chǎn)品。
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